IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 495.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier
Description: IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 210 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns, Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 345 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 420 W.
Інші пропозиції IRG8P60N120KD-EPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG8P60N120KD-EPBF | Виробник : Infineon / IR |
IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IRG8P60N120KD-EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 420000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товар відсутній |