Продукція > Транзистори > IGBT > IRG8P60N120KDPBF

IRG8P60N120KDPBF

Код товару: 155337

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRG8P60N120KDPBF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IRG8P60N120KDPBF	Infineon Technologies	Description: IGBT 1200V 100A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 345 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 420 W	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IRG8P60N120KDPBF	Infineon / IR	IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IRG8P60N120KDPBF

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRG8P60N120KDPBF

Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.