IRGB20B60PD1PBF
Код товару: 63117
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Vces: 600 V
Vce: 2,05 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 22 A
Pd 25: 215 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 20/125
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 80.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGB20B60PD1PBF IR
- IGBT, 600V, 40A, TO-220AB
- Transistor Type:IGBT
- Max Voltage Vce Sat:2.35V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Case Style:TO-220AB
- Max Current Ic Continuous a:40A
- Power Dissipation:215W
- Power Dissipation Pd:215W
- Pulsed Current Icm:80A
- Rise Time:5ns
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
Інші пропозиції IRGB20B60PD1PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGB20B60PD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 215000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRGB20B60PD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 600V 40A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns Switching Energy: 95µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 390V, 13A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 215 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IRGB20B60PD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600V Warp2 150kHz |
товару немає в наявності |