IRGB4B60KD1PBF International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: IGBT NPT 600V 11A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 63 W
на замовлення 57450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 268+ | 82.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGB4B60KD1PBF International Rectifier
Description: IGBT NPT 600V 11A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-220AB, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns, Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 12 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 63 W.
Інші пропозиції IRGB4B60KD1PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRGB4B60KD1PBF | Виробник : IR |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRGB4B60KD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRGB4B60KD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 600V 11A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 63 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IRGB4B60KD1PBF | Виробник : Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V Low-Vceon Non Punch Through |
товару немає в наявності |