IRGB5B120KDPBF International Rectifier


Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: International Rectifier
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGB5B120KDPBF International Rectifier

Description: IGBT 1200V 12A 89W TO220AB, Power - Max: 89 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Gate Charge: 25 nC, Test Condition: 600V, 6A, 50Ohm, 15V, Switching Energy: 390µJ (on), 330µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-220AB, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6A, Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRGB5B120KDPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRGB5B120KDPBF IRGB5B120KDPBF Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf description Description: IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Gate Charge: 25 nC
Test Condition: 600V, 6A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB5B120KDPBF IRGB5B120KDPBF Infineon / IR Part_Number_Guide_Web.pdf description IGBT Transistors 1200V UltraFast 10-30kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB5B120KDPBF description Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Gate Charge: 25 nC
Test Condition: 600V, 6A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB5B120KDPBF description Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 1200V UltraFast 10-30kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.