Продукція > INFINEON > IRGB8B60KPBF

IRGB8B60KPBF Infineon


fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon
IGBT 600V 28A 167W TO220AB Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGB8B60KPBF Infineon

Description: IGBT NPT 600V 28A TO-220AB, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 18.2 nC, Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V, Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-220AB, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 167 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 26 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A.

Інші пропозиції IRGB8B60KPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRGB8B60KPBF IRGB8B60KPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 28A TO-220AB
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 18.2 nC
Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB8B60KPBF IRGB8B60KPBF Infineon / IR fundamentals-of-power-semiconductors IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB8B60KPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 28A TO-220AB
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 18.2 nC
Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB8B60KPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.