IRGIB15B60KD1P
Код товару: 101921
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRGIB15B60KD1P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGIB15B60KD1P | Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 19A 52W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 30ns/173ns Switching Energy: 127µJ (on), 334µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 52 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRGIB15B60KD1P | Infineon Technologies |
IGBT Transistors 600V Low-Vceon |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRGIB15B60KD1P | INFINEON |
Description: INFINEON - IRGIB15B60KD1P - IGBT, 19 A, 2.2 V, 52 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 19 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRGIB15B60KD1P |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 19A 52W TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/173ns
Switching Energy: 127µJ (on), 334µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 19 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A
Power - Max: 52 W
Description: IGBT 600V 19A 52W TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/173ns
Switching Energy: 127µJ (on), 334µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 19 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A
Power - Max: 52 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRGIB15B60KD1P |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V Low-Vceon
IGBT Transistors 600V Low-Vceon
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRGIB15B60KD1P |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGIB15B60KD1P - IGBT, 19 A, 2.2 V, 52 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 19
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRGIB15B60KD1P - IGBT, 19 A, 2.2 V, 52 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 19
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.