Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IRGIB6B60KDPBF
IRGIB6B60KDPBF

IRGIB6B60KDPBF ROCHESTER ELECTRONICS

IRSDS09614-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRGIB6B60KDPBF - IRGIB6B60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+141.61 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGIB6B60KDPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: IGBT NPT 600V 11A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/215ns, Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 18.2 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 38 W.

Інші пропозиції IRGIB6B60KDPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRGIB6B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF Виробник : Infineon Technologies irgib6b60kdpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGIB6B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF Виробник : Infineon Technologies irgib6b60kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565259dd2434 Description: IGBT NPT 600V 11A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/215ns
Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 18.2 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 38 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGIB6B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF Виробник : Infineon / IR Infineon-IRGIB6B60KD-DS-vNA-EN-1732763.pdf IGBT Transistors 600V Low-Vceon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.