IRGP30B120KD-EP
Виробник: IRGP30B120KD-EP Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGP30B120KD-EP
Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 1.07mJ (on), 1.49mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 169 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IRGP30B120KD-EP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGP30B120KD-EP Код товару: 85283
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||
 |
IRGP30B120KD-EP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRGP30B120KD-EP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Switching Energy: 1.07mJ (on), 1.49mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 169 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
|
| IRGP30B120KD-EP | Виробник : Amphenol |
Circular MIL Spec Connector |
товару немає в наявності |
||
 |
IRGP30B120KD-EP | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT |
товару немає в наявності |