IRGP30B60KD-EP

IRGP30B60KD-EP Infineon / IR


Infineon-IRGP30B60KD-E-DataSheet-v01_00-EN-1732764.pdf Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V UltraFast 5-40kHz
на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGP30B60KD-EP Infineon / IR

Description: IGBT 600V 60A 304W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 125 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns, Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 304 W.

Інші пропозиції IRGP30B60KD-EP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP
Код товару: 94717
irgp30b60kd-epbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535655b5382442 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP Виробник : Infineon Technologies infineon-irgp30b60kd-e-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 304000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irgp30b60kd-epbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 304W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 304W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP Виробник : Infineon Technologies irgp30b60kd-epbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535655b5382442 Description: IGBT 600V 60A 304W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns
Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 304 W
товар відсутній
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irgp30b60kd-epbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 304W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 304W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній