IRGP4750DPBF

IRGP4750DPBF ROCHESTER ELECTRONICS


IRSD-S-A0000175681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRGP4750DPBF - IRGP4750 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+325.16 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGP4750DPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: IGBT 650V TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247AC, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/105ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 105 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 273 W.

Інші пропозиції IRGP4750DPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRGP4750DPBF Виробник : Infineon IRGP4750D%28-E%29PbF.pdf
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4750DPBF IRGP4750DPBF
Код товару: 115476
Додати до обраних Обраний товар

IRGP4750D%28-E%29PbF.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4750DPBF IRGP4750DPBF Виробник : Infineon Technologies 3632irgp4750dpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4750DPBF IRGP4750DPBF Виробник : Infineon Technologies IRGP4750D%28-E%29PbF.pdf Description: IGBT 650V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/105ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 273 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4750DPBF IRGP4750DPBF Виробник : Infineon / IR irgp4750dpbf-1994920.pdf IGBT Transistors 650V UltraFast IGBT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.