Продукція > Транзистори > IGBT > IRGP50B60PD1PBF
IRGP50B60PD1PBF

IRGP50B60PD1PBF

irgp50b60pd1pbfdfsf.pdf
Код товару: 49114
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 45 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 390 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 30/130
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRGP50B60PD1PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRGP50B60PD1PBF International Rectifier fundamentals-of-power-semiconductors SMPS IGBT Vces = 600V, Vce(on) typ. = 2.00V @ Vge = 15V Ic = 33A, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors IRGP50B60PD1PBF Транзисторы IGB-transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 75A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 390 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies Infineon-IRGP50B60PD1-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 600V Warp2 150kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: International Rectifier
SMPS IGBT Vces = 600V, Vce(on) typ. = 2.00V @ Vge = 15V Ic = 33A, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRGP50B60PD1PBF Транзисторы IGB-transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRGP50B60PD1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 75A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 390 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF Infineon-IRGP50B60PD1-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IRGP50B60PD1PBF
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V Warp2 150kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KBJ2510_T0_00601
Код товару: 204303
Додати до обраних Обраний товар
KBJ2510-Datasheet.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.