IRGP6650D-EPBF

IRGP6650D-EPBF International Rectifier


IRSD-S-A0000217486-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: IGBT WITH RECOVERY DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns
Switching Energy: 300µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+197.53 грн
Мінімальне замовлення: 101
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGP6650D-EPBF International Rectifier

Description: IGBT WITH RECOVERY DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns, Switching Energy: 300µJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 306 W.

Інші пропозиції IRGP6650D-EPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRGP6650D-EPBF IRGP6650D-EPBF Виробник : Infineon / IR irgp6650dpbf-1228381.pdf IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRGP6650D-EPBF IRGP6650D-EPBF Виробник : Infineon Technologies 3602irgp6650dpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товар відсутній