Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGS14C40LPBF
- IGBT, D2-PAK
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:400V
- Current Ic Continuous a Max:20A
- Max Voltage Vce Sat:1.4V
- Power Dissipation:125W
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:430V
- Power Dissipation Pd:125W
- Rise Time:2.8ns
- SMD Marking:GS14C40L
Інші пропозиції IRGS14C40LPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRGS14C40LPBF |
 |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IRGS14C40LPBF |
TO-263 (D2PAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||
 |
IRGS14C40LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 430V 20A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 900ns/6µs Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IRGS14C40LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT |
товару немає в наявності |