IRGS14C40LPBF
Виробник: на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGS14C40LPBF
Description: IGBT 430V 20A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 900ns/6µs, Gate Charge: 27 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції IRGS14C40LPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGS14C40LPBF Код товару: 60410 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
 |
IRGS14C40LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRGS14C40LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 430V 20A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 900ns/6µs Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
|
 |
IRGS14C40LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT |
товар відсутній |