IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 31.48 грн |
| 40+ | 15.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 11A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns, Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 12 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 63 W.
Інші пропозиції IRGS4B60KD1PBF за ціною від 70.23 грн до 70.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGS4B60KD1PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRGS4B60KD1PBF - IRGS4B60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALLtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRGS4B60KD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63W 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
IRGS4B60KD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRGS4B60KD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 600V 11A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 63 W |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRGS4B60KD1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT |
товару немає в наявності |