IRGS4B60KD1PBF

IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies


irgs4b60kd1pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63W 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.19 грн
40+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 11A 63W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns, Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 12 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 63 W.

Інші пропозиції IRGS4B60KD1PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRGS4B60KD1PBF IRGS4B60KD1PBF Виробник : Infineon Technologies irgs4b60kd1pbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63W 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRGS4B60KD1PBF IRGS4B60KD1PBF Виробник : Infineon Technologies irgs4b60kd1pbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRGS4B60KD1PBF IRGS4B60KD1PBF Виробник : Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 600V 11A 63W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 63 W
товар відсутній
IRGS4B60KD1PBF IRGS4B60KD1PBF Виробник : Infineon / IR irsds10536_1-2271411.pdf IGBT Transistors 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
товар відсутній