
IRGSL4062DPBF Infineon Technologies
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 80.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGSL4062DPBF Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 48A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns, Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IRGSL4062DPBF за ціною від 188.20 грн до 188.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 46187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Collector current: 48A Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Collector current: 48A Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |