Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL1004PBF
IRL1004PBF

IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES

irl1004pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.24 грн
5+124.44 грн
10+116.82 грн
15+111.74 грн
25+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції IRL1004PBF за ціною від 94.44 грн до 295.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL1004PBF IRL1004PBF Infineon Technologies Infineon_IRL1004_DataSheet_v01_01_EN-3363387.pdf MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.96 грн
25+140.72 грн
100+109.00 грн
500+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF Infineon Technologies irl1004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b184224e4 Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.10 грн
50+145.18 грн
100+131.73 грн
500+101.51 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF Infineon_IRL1004_DataSheet_v01_01_EN-3363387.pdf
IRL1004PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+278.96 грн
25+140.72 грн
100+109.00 грн
500+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b184224e4
IRL1004PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+295.10 грн
50+145.18 грн
100+131.73 грн
500+101.51 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.