IRL1004PBF Infineon Technologies
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL1004PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRL1004PBF за ціною від 62.84 грн до 296.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|