Технічний опис IRL1004PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRL1004PBF за ціною від 92.50 грн до 289.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL1004PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRL1004PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRL1004PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRL1004PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRL1004PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220ABTechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRL1004PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRL1004PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 6500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 149.70 грн |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 177.97 грн |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 177.97 грн |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 177.97 грн |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 289.04 грн |
| 50+ | 142.20 грн |
| 100+ | 129.03 грн |
| 500+ | 99.43 грн |
| 1000+ | 92.50 грн |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






