IRL100HS121 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 25.05 грн |
| 12000+ | 21.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL100HS121 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRL100HS121 за ціною від 22.97 грн до 107.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL100HS121 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL100HS121 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V |
на замовлення 37361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL100HS121 | Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 17160 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IRL100HS121 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 196+ | 74.92 грн |
| 296+ | 49.38 грн |
| 500+ | 46.24 грн |
| IRL100HS121 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 37361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.56 грн |
| 10+ | 60.85 грн |
| 50+ | 45.26 грн |
| 100+ | 37.75 грн |
| 500+ | 29.45 грн |
| IRL100HS121 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 17160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.73 грн |
| 10+ | 49.64 грн |
| 100+ | 38.44 грн |
| 500+ | 29.95 грн |
| 1000+ | 29.43 грн |
| 2000+ | 28.98 грн |
| 4000+ | 22.97 грн |