IRL100HS121 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 18.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL100HS121 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRL100HS121 за ціною від 20.97 грн до 94.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL100HS121 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL100HS121 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 3639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL100HS121 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V |
на замовлення 5771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL100HS121 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRL100HS121 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRL100HS121 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRL100HS121 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |