Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL100HS121
IRL100HS121

IRL100HS121 Infineon Technologies

Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.32 грн
8000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL100HS121 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRL100HS121 за ціною від 17.55 грн до 74.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL100HS121 IRL100HS121 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL100HS121_DataSheet_v03_01_EN-3363402.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.35 грн
10+50.35 грн
100+30.33 грн
500+24.26 грн
1000+22.24 грн
2000+20.57 грн
4000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 IRL100HS121 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e Description: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.52 грн
10+44.56 грн
100+29.21 грн
500+21.22 грн
1000+19.23 грн
2000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 IRL100HS121 Виробник : Infineon Technologies 304infineon-irl100hs121-ds-v01_04-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 IRL100HS121 Виробник : Infineon Technologies 304infineon-irl100hs121-ds-v01_04-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.