IRL1404STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 131.54 грн |
| 500+ | 124.46 грн |
| 1000+ | 117.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL1404STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRL1404STRLPBF за ціною від 95.51 грн до 264.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL1404STRLPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1404STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRL1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRL1404STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRL1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRL1404STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel |
товару немає в наявності |