Продукція > INFINEON > IRL1404STRLPBF
IRL1404STRLPBF

IRL1404STRLPBF INFINEON

INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL1404STRLPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.

Інші пропозиції IRL1404STRLPBF за ціною від 90.22 грн до 290.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF Infineon Technologies irl1404spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF Infineon Technologies irl1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b41eb24f2 Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.36 грн
10+158.90 грн
100+111.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.25 грн
10+175.97 грн
100+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRL1404S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.27 грн
10+178.32 грн
100+115.59 грн
500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF irl1404spbf.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF irl1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b41eb24f2
IRL1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+251.36 грн
10+158.90 грн
100+111.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+267.25 грн
10+175.97 грн
100+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF Infineon-IRL1404S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+290.27 грн
10+178.32 грн
100+115.59 грн
500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.