Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL1404ZSPBF
IRL1404ZSPBF

IRL1404ZSPBF Infineon Technologies

infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+98.14 грн
500+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL1404ZSPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL1404ZSPBF за ціною від 40.70 грн до 42.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL1404ZSPBF IRL1404ZSPBF
Код товару: 27885
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irl1404zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5080/75
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+42.50 грн
10+40.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBF IRL1404ZSPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBF IRL1404ZSPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3166537.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBF IRL1404ZSPBF Виробник : Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.