Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL1404ZSTRLPBF
IRL1404ZSTRLPBF

IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.54 грн
1600+49.54 грн
2400+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRL1404ZSTRLPBF за ціною від 46.70 грн до 170.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.22 грн
2400+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+73.30 грн
178+72.79 грн
179+72.29 грн
250+69.22 грн
500+63.65 грн
1000+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.11 грн
2400+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.53 грн
25+77.99 грн
100+74.68 грн
250+68.67 грн
500+65.47 грн
1000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.90 грн
6+81.36 грн
10+76.43 грн
50+65.75 грн
100+61.64 грн
250+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.53 грн
10+83.23 грн
100+59.88 грн
800+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+112.11 грн
500+100.90 грн
1000+93.05 грн
10000+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 56900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+112.11 грн
500+100.90 грн
1000+93.05 грн
10000+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.08 грн
5+101.39 грн
10+91.72 грн
50+78.90 грн
100+73.97 грн
250+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.52 грн
10+105.77 грн
100+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.