Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL1404ZSTRLPBF
IRL1404ZSTRLPBF

IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.35 грн
12+ 52.24 грн
100+ 50.8 грн
500+ 48.36 грн
800+ 42.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.

Інші пропозиції IRL1404ZSTRLPBF за ціною від 45.9 грн до 164.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+57.46 грн
208+ 56.26 грн
214+ 54.71 грн
500+ 52.08 грн
800+ 45.9 грн
Мінімальне замовлення: 204
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+75.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+76.36 грн
154+ 75.87 грн
200+ 71.66 грн
500+ 66.17 грн
1600+ 63.28 грн
3200+ 62.78 грн
Мінімальне замовлення: 153
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+88.1 грн
250+ 79.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+92.39 грн
1600+ 75.48 грн
2400+ 71.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.77 грн
10+ 86.37 грн
25+ 85.51 грн
100+ 74.89 грн
250+ 68.64 грн
500+ 57.91 грн
1000+ 55.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+99.91 грн
126+ 93.02 грн
127+ 92.08 грн
140+ 80.65 грн
250+ 73.92 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 59.4 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 790A
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127 грн
5+ 106.13 грн
10+ 81.16 грн
28+ 76.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3363594.pdf MOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 14754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.08 грн
10+ 112.58 грн
100+ 83.24 грн
250+ 82.58 грн
500+ 77.91 грн
800+ 67.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+146.42 грн
10+ 114.3 грн
50+ 104.59 грн
100+ 88.1 грн
250+ 79.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 790A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.4 грн
5+ 132.26 грн
10+ 97.39 грн
28+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.96 грн
10+ 132.08 грн
100+ 105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній