IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Інші пропозиції IRL1404ZSTRLPBF за ціною від 65.23 грн до 255.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 219300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 790A Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
на замовлення 7054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl |
на замовлення 3040 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 79.18 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 82.91 грн |
| 2400+ | 71.38 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 84.88 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 84.88 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 94.68 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 94.98 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 151.98 грн |
| 10+ | 119.50 грн |
| 25+ | 119.18 грн |
| 100+ | 84.79 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 151.98 грн |
| 123+ | 119.18 грн |
| 167+ | 84.79 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 164.43 грн |
| 500+ | 148.60 грн |
| 1000+ | 136.42 грн |
| 10000+ | 117.34 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 164.43 грн |
| 500+ | 148.60 грн |
| 1000+ | 136.42 грн |
| 10000+ | 117.34 грн |
| 100000+ | 91.03 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.65 грн |
| 5+ | 162.66 грн |
| 10+ | 141.48 грн |
| 15+ | 68.62 грн |
| 39+ | 65.23 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 233.61 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 234.92 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 7054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.12 грн |
| 10+ | 149.75 грн |
| 50+ | 115.06 грн |
| 100+ | 97.47 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.75 грн |
| 10+ | 118.28 грн |
| 100+ | 93.84 грн |
| 500+ | 82.58 грн |
| 800+ | 73.57 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRL1404ZSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)