IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies


irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+64.48 грн
1600+57.52 грн
2400+55.19 грн
4000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції IRL1404ZSTRLPBF за ціною від 53.64 грн до 199.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.83 грн
1600+81.01 грн
2400+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.83 грн
1600+81.01 грн
2400+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.32 грн
250+83.10 грн
500+79.92 грн
1000+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.47 грн
1600+82.64 грн
2400+81.81 грн
4000+78.10 грн
5600+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.69 грн
1600+82.84 грн
2400+82.02 грн
4000+78.30 грн
5600+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.00 грн
10+83.78 грн
25+83.55 грн
100+80.35 грн
250+74.19 грн
500+71.04 грн
1000+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.46 грн
5+119.62 грн
10+106.05 грн
50+80.60 грн
100+72.11 грн
500+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.20 грн
10+111.33 грн
100+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.00 грн
10+116.72 грн
100+71.89 грн
500+57.30 грн
800+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF International Rectifier HiRel Products irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 IRL1404ZSTRLPBF
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
185+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+81.83 грн
1600+81.01 грн
2400+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+81.83 грн
1600+81.01 грн
2400+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
170+83.32 грн
250+83.10 грн
500+79.92 грн
1000+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+83.47 грн
1600+82.64 грн
2400+81.81 грн
4000+78.10 грн
5600+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+83.69 грн
1600+82.84 грн
2400+82.02 грн
4000+78.30 грн
5600+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+84.00 грн
10+83.78 грн
25+83.55 грн
100+80.35 грн
250+74.19 грн
500+71.04 грн
1000+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+164.46 грн
5+119.62 грн
10+106.05 грн
50+80.60 грн
100+72.11 грн
500+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.20 грн
10+111.33 грн
100+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF 1911596.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+195.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.00 грн
10+116.72 грн
100+71.89 грн
500+57.30 грн
800+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF 1911596.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRL1404ZSTRLPBF
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.