IRL2505SPBF
Код товару: 18630
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL2505SPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 104A, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:104A
- On State Resistance:0.008ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation:200W
- Power Dissipation Pd:200W
- Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
- Pulse Current Idm:360A
- Voltage Vds:55V
- Transistor Case Style:D2-PAK
Інші пропозиції IRL2505SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL2505SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IRL2505SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRL2505SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC |
товару немає в наявності |