IRL2505STRLPBF

IRL2505STRLPBF Infineon Technologies


infineon-irl2505s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL2505STRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL2505STRLPBF за ціною від 74.21 грн до 190.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL2505STRLPBF IRL2505STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl2505s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+100.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2505STRLPBF IRL2505STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL2505S_DataSheet_v01_01_EN-3363388.pdf MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.16 грн
10+ 176.01 грн
100+ 152.39 грн
800+ 94.75 грн
2400+ 78.18 грн
4800+ 74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2505STRLPBF IRL2505STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl2505s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2505STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL2505STRLPBF IRL2505STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505STRLPBF IRL2505STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній