IRL2505STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 93.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL2505STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRL2505STRLPBF за ціною від 82.20 грн до 228.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL2505STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL2505STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL2505STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL2505STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL2505STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRL2505STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 74A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IRL2505STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRL2505STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRL2505STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 74A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |