IRL2910SPBF

IRL2910SPBF


irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
Код товару: 118889
Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 7 шт:

7 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+155.00 грн
10+142.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRL2910SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL2910SPBF IRL2910SPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBF IRL2910SPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irl2910s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBF IRL2910SPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl2910s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBF IRL2910SPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.