Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL2910STRLPBF
IRL2910STRLPBF

IRL2910STRLPBF Infineon Technologies

irl2910spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL2910STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL2910STRLPBF за ціною від 73.25 грн до 296.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+78.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+84.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : INFINEON 78700.pdf Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+154.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
10+186.60 грн
100+141.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL2910S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.24 грн
10+179.56 грн
100+118.06 грн
500+103.58 грн
800+82.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+294.45 грн
63+194.40 грн
100+191.15 грн
500+138.83 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : INFINEON 78700.pdf Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.48 грн
10+199.93 грн
100+154.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273AA1BBA60F1A303005056AB0C4F&compId=irl2910spbf.pdf?ci_sign=e0e455514ca6d17f7b1f43e807163325c855281b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273AA1BBA60F1A303005056AB0C4F&compId=irl2910spbf.pdf?ci_sign=e0e455514ca6d17f7b1f43e807163325c855281b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.