Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL2910STRLPBF
IRL2910STRLPBF

IRL2910STRLPBF Infineon Technologies

irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.97 грн
2400+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL2910STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

Інші пропозиції IRL2910STRLPBF за ціною від 81.40 грн до 259.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.30 грн
2400+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.32 грн
2400+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.32 грн
10+131.81 грн
50+100.79 грн
100+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.60 грн
10+179.98 грн
50+141.91 грн
100+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.60 грн
79+179.98 грн
100+141.91 грн
112+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL2910S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF INFINEON 78700.pdf Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF INFINEON 78700.pdf Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+85.30 грн
2400+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+85.32 грн
2400+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
IRL2910STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.32 грн
10+131.81 грн
50+100.79 грн
100+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+259.60 грн
10+179.98 грн
50+141.91 грн
100+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+259.60 грн
79+179.98 грн
100+141.91 грн
112+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF Infineon_IRL2910S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF 78700.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF 78700.pdf
IRL2910STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.