IRL3103STRRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL3103STRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 94W (Tc).
Інші пропозиції IRL3103STRRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRL3103STRRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL3103STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



