IRL3302PBF Infineon Technologies


IRL3302PbF.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3302PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRL3302PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL3302PBF IRL3302PBF Infineon / IR irl3302.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302PBF irl3302.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.