IRL3303D1S
Код товару: 79756
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRL3303D1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL3303D1S | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRL3303D1S | Infineon / IR |
MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL3303D1S |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.