Продукція > IR > IRL3303S

IRL3303S


irl3303s.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3303S IR

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRL3303S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRL3303S IRL3303S Infineon Technologies irl3303s.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303S irl3303s.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.