IRL3502PBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL3502PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRL3502PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRL3502PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL3502PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



