IRL3705NPBF

IRL3705NPBF


irl3705n-datasheet.pdf
Код товару: 24017
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 406 шт:

358 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3705NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 77A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:77A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:130W
  • Power Dissipation Pd:130W
  • Pulse Current Idm:310A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRL3705NPBF за ціною від 39.76 грн до 160.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.41 грн
213+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.59 грн
10+101.22 грн
21+44.63 грн
58+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+126.37 грн
142+85.80 грн
500+72.76 грн
1000+46.42 грн
2000+41.84 грн
5000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.26 грн
10+110.87 грн
100+76.55 грн
500+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.11 грн
10+126.14 грн
21+53.56 грн
58+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL3705N-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.40 грн
10+120.55 грн
100+73.07 грн
500+60.60 грн
1000+57.62 грн
2000+53.79 грн
5000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.92 грн
10+131.32 грн
100+94.42 грн
500+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+160.39 грн
10+137.29 грн
100+93.21 грн
500+76.23 грн
1000+46.71 грн
2000+43.64 грн
5000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRL2505PBF
Код товару: 27992
Додати до обраних Обраний товар

description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
IRL2505PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 341 шт
284 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4,7 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S)
Код товару: 13778
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
4,7 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 5859 шт
4085 шт - склад
756 шт - РАДІОМАГ-Київ
155 шт - РАДІОМАГ-Львів
135 шт - РАДІОМАГ-Харків
105 шт - РАДІОМАГ-Одеса
623 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 30.12.2025
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBF
Код товару: 35444
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44VPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
у наявності: 206 шт
127 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2,4 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K4R-Hitano) (S)
Код товару: 13768
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
2,4 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K4R-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 4655 шт
3632 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
490 шт - РАДІОМАГ-Львів
532 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ATmega16A-PU
Код товару: 28186
Додати до обраних Обраний товар

description atmega16a-pu.pdf
ATmega16A-PU
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 16K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 2,7...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 16MHz
Робоча температура, °С: -40...+85°C
у наявності: 142 шт
97 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+155.00 грн
10+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.