IRL3705NPBF
Код товару: 24017
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 425 шт:
342 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL3705NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 77A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:77A
- On State Resistance:0.01ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2.5V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:130W
- Power Dissipation Pd:130W
- Pulse Current Idm:310A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRL3705NPBF за ціною від 37.57 грн до 159.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRL2505PBF Код товару: 27992 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 213 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 59.4 грн |
IRFZ44VPBF Код товару: 35444 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
у наявності: 365 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
1N4007 Код товару: 1574 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товар відсутній
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2455 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
5000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |
4,7 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S) Код товару: 13778 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 2463 шт
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |