Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL3705NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF

IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL3705NSTRLPBF за ціною від 54.86 грн до 245.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.16 грн
250+101.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+126.87 грн
500+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+126.87 грн
500+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL3705NS-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.65 грн
10+157.20 грн
100+125.24 грн
500+113.02 грн
800+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.01 грн
10+161.06 грн
50+141.35 грн
100+112.16 грн
250+101.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl, TO-252-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22274DD1ABBBBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3705nspbf.pdf?ci_sign=def286927a4ec6a16efcd8a4c3fbd0ce993a0cee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.