Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL3705ZSTRLPBF
IRL3705ZSTRLPBF

IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.

Інші пропозиції IRL3705ZSTRLPBF за ціною від 56.26 грн до 146.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+61.04 грн
1600+ 60.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.75 грн
1600+ 65.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.93 грн
250+ 63.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.25 грн
10+ 71.23 грн
25+ 70.52 грн
100+ 56.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+82.11 грн
153+ 76.71 грн
155+ 75.94 грн
187+ 60.59 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+104.34 грн
118+ 99.46 грн
132+ 88.73 грн
200+ 82.37 грн
500+ 76.01 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.16 грн
10+ 96.74 грн
100+ 67.43 грн
800+ 58.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.08 грн
10+ 95.11 грн
50+ 86.13 грн
100+ 70.93 грн
250+ 63.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.6 грн
10+ 117.46 грн
100+ 93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRL3705ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRL3705ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній