IRL3705ZSTRLPBF

IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL3705ZSTRLPBF за ціною від 65.31 грн до 225.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.76 грн
500+112.59 грн
1000+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.76 грн
500+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.17 грн
10+135.19 грн
100+82.73 грн
800+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.16 грн
10+140.02 грн
50+134.32 грн
100+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.17 грн
10+124.87 грн
100+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+225.58 грн
84+146.06 грн
100+132.26 грн
200+97.03 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF112ECD9F715EA&compId=IRL3705ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=c916a4aa1628d516334b00db556866bd3c12c24c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF112ECD9F715EA&compId=IRL3705ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=c916a4aa1628d516334b00db556866bd3c12c24c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.