IRL3713SPBF

IRL3713SPBF


irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
Код товару: 28823
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3713SPBF

  • MOSFET, N, 30V, 200A, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:200A
  • On State Resistance:0.003ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:D2-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.003ohm
  • Power Dissipation:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:1040A
  • Voltage Vds:30V
  • Transistor Case Style:D2-PAK

Інші пропозиції IRL3713SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL3713SPBF IRL3713SPBF Виробник : Infineon Technologies irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3713SPBF IRL3713SPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL3713_DataSheet_v01_01_EN-1732944.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
товар відсутній