Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRL3803STRLPBF
IRL3803STRLPBF

IRL3803STRLPBF International Rectifier

IRSDS10036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL3803STRLPBF International Rectifier

Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRL3803STRLPBF за ціною від 70.16 грн до 245.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl3803s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+135.92 грн
500+122.73 грн
1000+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.31 грн
500+149.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL3803S_DataSheet_v01_01_EN-3363524.pdf MOSFETs MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.34 грн
10+155.30 грн
100+96.14 грн
800+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.34 грн
10+232.99 грн
100+166.31 грн
500+149.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3803spbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl3803spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3803spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f89502556 Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl3803spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f89502556 Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl3803spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.