Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL3803VPBF Infineon / IR
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL3803VPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRL3803VPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRL3803VPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 140 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRL3803VPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL3803VPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 140
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 140
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL3803VPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRL3803VPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.





