IRL40B212 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40B212 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.
Інші пропозиції IRL40B212
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL40B212 | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL40B212 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
MOSFETs 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)