Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL40B212
IRL40B212

IRL40B212 Infineon Technologies

Infineon_IRL40S212_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.89 грн
10+172.65 грн
100+117.71 грн
500+98.68 грн
1000+94.45 грн
3000+80.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL40B212 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.

Інші пропозиції IRL40B212

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRL40B212 IRL40B212 Infineon Technologies Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0ddc3062d Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212 Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0ddc3062d
IRL40B212
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.