IRL40B215 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 88.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40B215 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL40B215 за ціною від 74.30 грн до 143.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL40B215 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL40B215 - IRL40B215 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRL40B215 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |