IRL40B215 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40B215 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції IRL40B215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRL40B215 | Infineon Technologies |
MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL40B215 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



