IRL40DM247XTMA1

IRL40DM247XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IRL40DM247-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f9bef97a7367 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.03 грн
10+164.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL40DM247XTMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R.

Інші пропозиції IRL40DM247XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL40DM247XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl40dm247-datasheet-v02_05-en.pdf TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1 IRL40DM247XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl40dm247-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1 IRL40DM247XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl40dm247-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1 IRL40DM247XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL40DM247-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f9bef97a7367 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1 IRL40DM247XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL40DM247_DataSheet_v02_05_EN-3107510.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.