IRL40SC209

IRL40SC209 Infineon Technologies


179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+107.77 грн
126+102.94 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL40SC209 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 478A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL40SC209 за ціною від 96.95 грн до 387.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+136.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+146.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.41 грн
250+137.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.79 грн
10+189.80 грн
100+134.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL40SC209_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.27 грн
10+201.00 грн
100+123.58 грн
800+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.52 грн
10+227.02 грн
50+194.36 грн
100+149.41 грн
250+137.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+387.22 грн
51+255.27 грн
100+250.96 грн
200+171.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.