IRL40SC209 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 121+ | 115.73 грн |
| 126+ | 110.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40SC209 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 478A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRL40SC209 за ціною від 108.69 грн до 382.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40SC209 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 478A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 20385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 478A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRL40SC209 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IRL40SC209 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 267nC On-state resistance: 600µΩ Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 375W Drain current: 478A Case: D2PAK-7 |
товару немає в наявності |