Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL40SC209
IRL40SC209

IRL40SC209 Infineon Technologies

179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
121+117.82 грн
126+112.55 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL40SC209 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 478A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRL40SC209 за ціною від 110.66 грн до 408.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.51 грн
250+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.31 грн
10+206.31 грн
100+146.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies Infineon_IRL40SC209_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 20365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.43 грн
10+221.28 грн
100+136.74 грн
500+110.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.95 грн
10+249.16 грн
50+216.26 грн
100+169.51 грн
250+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.78 грн
50+284.08 грн
100+210.16 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
IRL40SC209
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+119.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+169.51 грн
250+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
IRL40SC209
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+324.31 грн
10+206.31 грн
100+146.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon_IRL40SC209_DS_v02_02_EN.pdf
IRL40SC209
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 20365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+340.43 грн
10+221.28 грн
100+136.74 грн
500+110.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+388.95 грн
10+249.16 грн
50+216.26 грн
100+169.51 грн
250+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf
IRL40SC209
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+408.78 грн
50+284.08 грн
100+210.16 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.