Інші пропозиції IRL40SC228 за ціною від 97.69 грн до 456.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 557A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 825 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V |
на замовлення 5109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 7752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40SC228 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRL40SC228 | Infineon |
|
на замовлення 363200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 120.04 грн |
| 1600+ | 108.21 грн |
| 2400+ | 104.45 грн |
| 4000+ | 97.69 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 161.87 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 162.88 грн |
| 1600+ | 161.25 грн |
| 2400+ | 159.61 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 163.66 грн |
| 1600+ | 162.02 грн |
| 2400+ | 160.38 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 172.46 грн |
| 1600+ | 170.76 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 172.46 грн |
| 1600+ | 170.76 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 189.76 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.13 грн |
| 10+ | 210.40 грн |
| 25+ | 179.01 грн |
| 50+ | 159.50 грн |
| 100+ | 153.56 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 5109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 326.69 грн |
| 10+ | 207.92 грн |
| 100+ | 147.28 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 342.90 грн |
| 10+ | 226.95 грн |
| 50+ | 200.64 грн |
| 100+ | 161.87 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 345.87 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 7752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.28 грн |
| 10+ | 259.38 грн |
| 100+ | 167.75 грн |
| 500+ | 140.97 грн |
| 800+ | 131.10 грн |
| 2400+ | 122.64 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 426.10 грн |
| 50+ | 286.93 грн |
| 100+ | 197.94 грн |
| 800+ | 164.07 грн |
| 1600+ | 150.45 грн |
| 2400+ | 142.94 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 456.74 грн |
| 10+ | 293.43 грн |
| 25+ | 290.51 грн |
| 100+ | 209.12 грн |
| 250+ | 191.69 грн |
| 500+ | 149.27 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 456.74 грн |
| 49+ | 290.51 грн |
| 100+ | 209.12 грн |
| 250+ | 191.69 грн |
| 500+ | 149.27 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 363200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)







