
IRL520NPBF Infineon Technologies
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 23.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL520NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL520NPBF за ціною від 26.93 грн до 96.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRL520NPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |