IRL520NSTRLPBF

IRL520NSTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irl520ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL520NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRL520NSTRLPBF за ціною від 31.85 грн до 124.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl520ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl520ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : INFINEON 140611.pdf Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.67 грн
10+85.62 грн
100+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL520NS_DataSheet_v01_01_EN-3363525.pdf MOSFETs MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 25550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+85.24 грн
100+50.64 грн
500+50.42 грн
800+34.64 грн
4800+32.88 грн
9600+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : INFINEON 140611.pdf Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl520nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fa45e255d Description: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl520nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fa45e255d Description: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.