IRL520NSTRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 493+ | 71.75 грн |
| 548+ | 64.57 грн |
| 1000+ | 59.54 грн |
| 10000+ | 51.19 грн |
| 100000+ | 39.72 грн |
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Технічний опис IRL520NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRL520NSTRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IRL520NSTRLPBF | Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv |
на замовлення 25550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRL520NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRL520NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 190 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRL520NSTRLPBF |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
MOSFETs MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 25550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRL520NSTRLPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRL520NSTRLPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
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Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)