Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL530NSTRLPBF
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

irl530nspbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL530NSTRLPBF за ціною від 29.60 грн до 132.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.95 грн
1600+38.29 грн
2400+37.91 грн
4000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+39.44 грн
1600+37.24 грн
2400+36.51 грн
4000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.94 грн
1600+41.23 грн
2400+40.83 грн
4000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.03 грн
250+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+80.18 грн
10+61.93 грн
25+61.48 грн
100+50.59 грн
250+46.71 грн
500+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 23294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.93 грн
10+73.82 грн
100+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.26 грн
159+77.38 грн
200+71.83 грн
500+55.12 грн
800+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.46 грн
10+73.74 грн
30+31.31 грн
80+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.22 грн
10+82.61 грн
25+71.16 грн
100+51.69 грн
250+51.54 грн
500+47.59 грн
800+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.50 грн
10+84.51 грн
50+83.68 грн
100+57.03 грн
250+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.55 грн
10+91.89 грн
30+37.58 грн
80+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF
Код товару: 207028
Додати до обраних Обраний товар

irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.