IRL530NSTRLPBF
Код товару: 207028
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRL530NSTRLPBF за ціною від 32.33 грн до 157.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 30400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 46400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 46400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRL530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRL530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
на замовлення 3685 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR FET |
на замовлення 3751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 30815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRL530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |