Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL530NSTRLPBF
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

irl530nspbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL530NSTRLPBF за ціною від 30.34 грн до 150.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.99 грн
1600+40.80 грн
2400+39.03 грн
4000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.96 грн
1600+46.49 грн
2400+46.38 грн
4000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.34 грн
1600+49.83 грн
2400+49.71 грн
4000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.29 грн
250+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+95.08 грн
137+93.25 грн
190+67.48 грн
250+64.42 грн
500+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+109.51 грн
10+69.87 грн
50+56.83 грн
100+51.25 грн
250+44.20 грн
500+38.87 грн
800+35.18 грн
1600+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
10+87.07 грн
50+68.20 грн
100+61.50 грн
250+53.04 грн
500+46.64 грн
800+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.01 грн
10+88.72 грн
100+54.32 грн
500+47.63 грн
800+37.00 грн
2400+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+139.50 грн
136+94.42 грн
200+92.72 грн
500+63.73 грн
800+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.33 грн
10+90.37 грн
100+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.48 грн
10+98.03 грн
50+83.63 грн
100+64.29 грн
250+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+150.61 грн
10+101.88 грн
25+99.91 грн
100+69.72 грн
250+63.90 грн
500+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF
Код товару: 207028
Додати до обраних Обраний товар

irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.