Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL530NSTRLPBF
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

irl530nspbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL530NSTRLPBF за ціною від 29.35 грн до 130.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.85 грн
1600+38.52 грн
2400+38.14 грн
4000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.90 грн
1600+36.73 грн
2400+36.01 грн
4000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.84 грн
1600+41.48 грн
2400+41.07 грн
4000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.64 грн
250+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+83.93 грн
197+62.00 грн
250+57.99 грн
500+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 23294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+72.80 грн
100+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.94 грн
10+72.73 грн
30+31.11 грн
80+29.43 грн
500+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.00 грн
159+77.19 грн
200+75.65 грн
500+54.98 грн
800+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+110.77 грн
10+77.97 грн
25+77.94 грн
100+55.51 грн
250+49.86 грн
500+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.19 грн
11+81.95 грн
50+78.81 грн
100+55.64 грн
250+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.59 грн
10+86.30 грн
25+74.30 грн
100+53.85 грн
250+53.70 грн
500+49.58 грн
800+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.72 грн
10+90.63 грн
30+37.34 грн
80+35.31 грн
500+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF Виробник : Infineon irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Transistor N-Channel MOSFET HEXFET; 100V; 20V; 100mOhm; 17A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRL530NSTRLPBF; IRL530NSPBF; IRL530NSPBF-GURT; IRL530NSTRRPBF; IRL530NS TIRL530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF
Код товару: 207028
Додати до обраних Обраний товар

irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.