Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF

irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
Код товару: 207028
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRL530NSTRLPBF за ціною від 29.08 грн до 200.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.34 грн
1600+36.60 грн
2400+34.97 грн
4000+31.09 грн
5600+30.07 грн
8000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.79 грн
1600+60.61 грн
2400+57.98 грн
4000+53.05 грн
5600+47.55 грн
8000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.83 грн
10+89.19 грн
50+63.17 грн
100+54.69 грн
125+52.30 грн
250+46.20 грн
500+41.51 грн
800+39.04 грн
1600+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.59 грн
163+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 12838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.08 грн
10+79.68 грн
100+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.41 грн
100+88.78 грн
800+66.40 грн
1600+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+131.41 грн
159+88.78 грн
800+66.40 грн
1600+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.03 грн
10+127.59 грн
100+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRL530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+41.34 грн
1600+36.60 грн
2400+34.97 грн
4000+31.09 грн
5600+30.07 грн
8000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+65.79 грн
1600+60.61 грн
2400+57.98 грн
4000+53.05 грн
5600+47.55 грн
8000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.83 грн
10+89.19 грн
50+63.17 грн
100+54.69 грн
125+52.30 грн
250+46.20 грн
500+41.51 грн
800+39.04 грн
1600+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.59 грн
163+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 12838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.08 грн
10+79.68 грн
100+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.41 грн
100+88.78 грн
800+66.40 грн
1600+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+131.41 грн
159+88.78 грн
800+66.40 грн
1600+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+200.03 грн
10+127.59 грн
100+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF Infineon-IRL530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.