Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL530NSTRRPBF
IRL530NSTRRPBF

IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies

irl530nspbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+64.47 грн
253+54.95 грн
500+50.77 грн
800+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL530NSTRRPBF за ціною від 35.93 грн до 109.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.11 грн
12+64.47 грн
100+54.95 грн
500+48.96 грн
800+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
414+84.00 грн
500+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
414+84.00 грн
500+75.60 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
414+84.00 грн
500+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.84 грн
100+97.92 грн
500+73.38 грн
800+40.36 грн
2400+37.45 грн
4800+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.