IRL530NSTRRPBF

IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies


infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL530NSTRRPBF за ціною від 34.01 грн до 105.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+35.41 грн
2400+ 34.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+38.08 грн
2400+ 36.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+44.33 грн
2400+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+47.74 грн
2400+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.9 грн
25+ 56.33 грн
100+ 53.69 грн
250+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+61.28 грн
193+ 60.67 грн
196+ 59.96 грн
250+ 46.49 грн
Мінімальне замовлення: 191
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.93 грн
100+ 94.43 грн
500+ 70.77 грн
800+ 38.92 грн
2400+ 36.12 грн
4800+ 34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товар відсутній