IRL530NSTRRPBF

IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies


irl530nspbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+43.96 грн
290+42.52 грн
300+41.18 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL530NSTRRPBF за ціною від 38.67 грн до 120.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.10 грн
25+45.55 грн
100+42.54 грн
500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+47.92 грн
259+47.67 грн
260+47.43 грн
262+45.50 грн
263+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.34 грн
25+51.08 грн
50+49.00 грн
100+45.14 грн
250+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
414+74.49 грн
500+67.04 грн
1000+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.59 грн
100+107.51 грн
500+80.56 грн
800+44.31 грн
2400+41.12 грн
4800+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.