Результат пошуку "irl540n" : 29
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 104
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 122
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 120
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL540NPBF Код товару: 25626
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 99 шт
39 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 15 шт - РАДІОМАГ-Харків 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 49.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540NPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 49.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540NSTRL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540NS |
![]() |
на замовлення 91 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRL540NSC | IR |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP40NF10L | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NS Код товару: 99527
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRL540NPBF Код товару: 25626
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
39 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 56.00 грн |
10+ | 50.50 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 103.63 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.83 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.36 грн |
25+ | 84.34 грн |
29+ | 39.13 грн |
80+ | 36.93 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 126.76 грн |
10+ | 119.91 грн |
100+ | 72.71 грн |
500+ | 57.26 грн |
1000+ | 44.49 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
104+ | 118.23 грн |
109+ | 112.52 грн |
200+ | 65.55 грн |
500+ | 56.45 грн |
1000+ | 48.85 грн |
2000+ | 39.70 грн |
IRL540NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 80.37 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 140.46 грн |
10+ | 110.55 грн |
18+ | 52.49 грн |
50+ | 49.31 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 168.55 грн |
10+ | 137.76 грн |
18+ | 62.99 грн |
50+ | 59.17 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 50.45 грн |
1600+ | 50.12 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 46.85 грн |
1600+ | 46.54 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 142.17 грн |
10+ | 132.75 грн |
50+ | 113.05 грн |
100+ | 85.89 грн |
250+ | 77.82 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 49.81 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
122+ | 100.53 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 100.02 грн |
10+ | 93.35 грн |
100+ | 75.64 грн |
250+ | 71.55 грн |
500+ | 49.28 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 85.89 грн |
250+ | 77.82 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.32 грн |
10+ | 132.58 грн |
100+ | 82.46 грн |
500+ | 69.40 грн |
800+ | 59.48 грн |
2400+ | 56.57 грн |
4800+ | 54.82 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 53.60 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
120+ | 102.74 грн |
128+ | 96.21 грн |
141+ | 87.24 грн |
200+ | 75.40 грн |
1600+ | 65.23 грн |
IRL540NS | ![]() |
IRL540NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540NSC |
Виробник: IR
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.08 грн |
10+ | 173.84 грн |
100+ | 106.12 грн |
500+ | 89.33 грн |
1000+ | 77.11 грн |
STP40NF10L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.92 грн |
10+ | 131.70 грн |
100+ | 106.89 грн |
500+ | 85.51 грн |
1000+ | 80.17 грн |
2000+ | 72.84 грн |
10000+ | 70.77 грн |
IRL540NS Код товару: 99527
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.50 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.