Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL540NSTRLPBF
IRL540NSTRLPBF

IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL540NSTRLPBF за ціною від 35.26 грн до 160.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.54 грн
1600+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.92 грн
1600+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.85 грн
1600+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.81 грн
1600+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.64 грн
250+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+85.20 грн
157+77.82 грн
189+64.59 грн
203+58.06 грн
500+48.98 грн
800+37.98 грн
1600+36.24 грн
3200+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+132.67 грн
10+119.32 грн
25+118.56 грн
100+79.58 грн
250+72.29 грн
500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.50 грн
10+105.07 грн
18+49.89 грн
50+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 29877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.02 грн
10+109.15 грн
100+76.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN-3363389.pdf MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.69 грн
10+129.35 грн
100+77.65 грн
500+70.32 грн
800+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.97 грн
10+125.36 грн
50+106.64 грн
100+81.64 грн
250+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.20 грн
10+130.93 грн
18+59.87 грн
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.