IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 79200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 55.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRL540NSTRLPBF за ціною від 46.74 грн до 203.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 79200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.8W Drain current: 36A Drain-source voltage: 100V Technology: HEXFET® Case: D2PAK Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 20583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRL540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |