IRL5602SPBF
Код товару: 53985
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Uds,V: 20 V
Id,A: 24 A
Rds(on),Om: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1460/44
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRL5602SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL5602SPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRL5602SPBF | Infineon / IR |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL5602SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL5602SPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.