Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRL5602SPBF

IRL5602SPBF

IRL5602SPBF

IRL5602SPbF.pdf

Код товару: 53985

Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Uds,V: 20 V
Id,A: 24 A
Rds(on),Om: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1460/44
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRL5602SPBF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IRL5602SPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET P-CH Si 20V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IRL5602SPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IRL5602SPBF	Виробник : Infineon / IR	MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.