Технічний опис IRL60B216 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRL60B216 за ціною від 286.31 грн до 395.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL60B216 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IRL60B216 | Infineon |
MOSFET N-CH 60V 305A TO-220 Транзистори |
на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRL60B216 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 286.31 грн |