IRL60HS118 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 22.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL60HS118 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL60HS118 за ціною від 23.17 грн до 95.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 188000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL60HS118 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 3347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 30802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRL60HS118 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |