Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL60HS118
IRL60HS118

IRL60HS118 Infineon Technologies

Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+22.39 грн
8000+20.02 грн
12000+19.24 грн
20000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL60HS118 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRL60HS118 за ціною від 21.95 грн до 91.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.01 грн
19+39.87 грн
29+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.08 грн
331+42.50 грн
338+41.57 грн
500+38.95 грн
1000+35.12 грн
4000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193 Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 21765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+54.85 грн
100+36.17 грн
500+26.42 грн
1000+23.99 грн
2000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON TECHNOLOGIES IRL60HS118.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies Infineon_IRL60HS118_DataSheet_v03_01_EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON 2718802.pdf Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON 2718802.pdf Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.01 грн
19+39.87 грн
29+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
312+45.08 грн
331+42.50 грн
338+41.57 грн
500+38.95 грн
1000+35.12 грн
4000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 21765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+54.85 грн
100+36.17 грн
500+26.42 грн
1000+23.99 грн
2000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118.pdf
IRL60HS118
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 Infineon_IRL60HS118_DataSheet_v03_01_EN.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 2718802.pdf
IRL60HS118
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 2718802.pdf
IRL60HS118
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.